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因此，逆变器需要平衡开关频率以提高效率、工作电压和功率容量，此外还需要针对最小化方波的辅助组件成本之间的进行平衡。 SiC的优势 碳化硅（SiC）在太阳能发电应用中比硅具有多种优势，其击穿电压是传统硅的十倍以上， SiC器件还具有比硅更低的导通电阻，栅极电荷和反向恢复电荷特性
碳化硅功率器件 与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。 碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工周期比较长，产出比较低，因而碳化硅衬底的成本是非常高的。
对于碳化硅，设备供应商正在开发150毫米和200毫米设备。通常，可以改装150毫米设备以支持200毫米生产。虽然200毫米碳化硅晶圆厂不会在近期内投入生产，但设备行业需要为它们做好准备。
需要注意的是，碳化硅的开关速度比硅基的IGBT高很多，所以，一些在IGBT模块中通常并不严苛的指标，会在碳化硅模块的设计中变得十分关键。 这些指标包括了各并联碳化硅芯片之间的开关时刻同步性、芯片的瞬态电流电压应力的均衡性、功率链路对于门极的干扰等。
碳化硅呈 2113 现黑 色 的原 5261 因在于晶体中包 裹着 4102 微细的碳粒 1653。不 加食 盐时，由 内 于二 氧化 硅蒸 发速度较 容 快，碳质材料来不及与之反应，造成一部分的二氧化硅蒸汽外逸损失了，而碳质材料却未发生完全，以细微的颗粒留在已经生成的碳化硅晶体中。
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