氮化硅设备

发布日期:2021-07-14 04:07:30

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薄膜沉积设备 – 先进电子材料与器件校级平台

LPCVD(氮化硅薄膜沉积) WDFSLPF02 西区炉管区 对外开放 李进喜 氮化硅薄膜的低压化学气相沉积(LPCVD);低应力氮化硅薄膜沉积。>700度 3,4,6寸标准硅片;前道硅片(不含任何光刻胶,金属薄膜,严禁污染设备)。1

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原标题:国产12英寸氮化硅沉积设备进入中国IC制造龙头企业 北方华创宣布,2020年4月7日,北方华创THEORISSN302D型12英寸氮化硅沉积设备搬入(Movein)国内

制备多晶硅太阳电池的氮化硅涂层沉积设备SiNx-PECVD

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引言氮化硅由于透光光谱宽、传输损耗低,最近几年已经逐渐发展成一种主流的集成光学工艺平台之一。做集成氮化硅波导,关键在于氮化硅薄膜的制备,成膜质量以及成膜厚度很大程度上决定了一个氮化硅工 …

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硅基氮化镓(GaN )外延材料 硅光子器件 硅光学传感器 研发能力与服务 SITRI拥有先进的MOCVD设备,专用于开发200mm硅基GaN和GaN赝衬底。凭借在硅基GaN生长方面多年积累的经验,有能力提供高品质的200mm GaN外延层(可用于射频和高功率

对氮化硅陶瓷材料进行加工或切割一般用什么设备百度知道

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